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CP798X-CPDM302PH-WN

制造商：Central Semiconductor Corp

封装外壳：模具

描述：MOSFET P-CH 30V 2.4A DIE

9099 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Central Semiconductor Corp设计生产的CP798X-CPDM302PH-WN，现有足量库存。CP798X-CPDM302PH-WN的封装/规格参数为:模具；同时斯普仑现货为您提供CP798X-CPDM302PH-WN数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有CP798X-CPDM302PH-WN的详细使用方法及教程。

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CP798X-CPDM302PH-WN产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 CP798X-CPDM302PH-WN
描述 MOSFET P-CH 30V 2.4A DIE
制造商 Central Semiconductor Corp
库存 9099
系列 -
包装 托盘
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2.4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 91 毫欧 @ 1.2A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 9.6 nC @ 5 V
Vgs（最大值） 12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 800 pF @ 10 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） -
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 模具
封装/外壳 模具

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