欢迎访问斯普仑网站

24小时电话: 400-900-8690

   400-900-8690

STL180N6F7

制造商：STMicroelectronics

封装外壳：8-PowerVDFN

描述：MOSFET N-CH 60V 32A/120A PWRFLAT

6188 现货

斯普仑电子元件现货为您提供STMicroelectronics设计生产的STL180N6F7，现有足量库存。STL180N6F7的封装/规格参数为:8-PowerVDFN；同时斯普仑现货为您提供STL180N6F7数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有STL180N6F7的详细使用方法及教程。

斯普仑电子元件现货为您提供STMicroelectronics设计生产的STL180N6F7，现有足量库存。STL180N6F7的封装/规格参数为:8-PowerVDFN；同时斯普仑现货为您提供STL180N6F7数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有STL180N6F7的详细使用方法及教程。

STL180N6F7产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 STL180N6F7
描述 MOSFET N-CH 60V 32A/120A PWRFLAT
制造商 STMicroelectronics
库存 6188
系列 STripFET™ F7
包装 卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 32A（Ta），120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 2.4 毫欧 @ 16A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 79.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 4825 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 4.8W（Ta），166W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PowerFlat™（5x6）
封装/外壳 8-PowerVDFN

猜您喜欢

STMicroelectronics

G15

STMicroelectronics

E3M0065090D

STMicroelectronics

C2M0080170P

STMicroelectronics

CPMF-1200-S160B

STMicroelectronics

CPMF-1200-S080B

STMicroelectronics

CPM2-1200-0160B

STMicroelectronics

CPM2-1200-0080B

STMicroelectronics

BUK7Y25-80E/GFX

STMicroelectronics

BUK7Y25-80E/CX

STMicroelectronics

PSMN7R6-60XSQ

STMicroelectronics

BUK761R5-40EJ

STMicroelectronics

PSMN8R5-108ESQ

STMicroelectronics

PSMN3R9-60XSQ

STMicroelectronics

BUK9C1R3-40EJ

STMicroelectronics

BUK951R8-40EQ

STMicroelectronics

PMT760EN,115

STMicroelectronics

PMT200EN,115

STMicroelectronics

BUK9C5R3-100EJ

STMicroelectronics

BUK9C3R8-80EJ

STMicroelectronics

BUK9C2R2-60EJ

为智能时代加速到来而付出“真芯”