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SCTWA10N120

制造商：STMicroelectronics

封装外壳：TO-247-3

描述：IC POWER MOSFET 1200V HIP247

6435 现货

斯普仑电子元件现货为您提供STMicroelectronics设计生产的SCTWA10N120，现有足量库存。SCTWA10N120的封装/规格参数为:TO-247-3；同时斯普仑现货为您提供SCTWA10N120数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有SCTWA10N120的详细使用方法及教程。

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SCTWA10N120产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 SCTWA10N120
描述 IC POWER MOSFET 1200V HIP247
制造商 STMicroelectronics
库存 6435
系列 -
包装 管件
FET 类型 N 通道
技术 SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss） 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 690 毫欧 @ 6A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3.5V @ 250µA （标准）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 21 nC @ 20 V
Vgs（最大值） +25V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 300 pF @ 1000 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 110W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 200°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 HiP247™ 长引线
封装/外壳 TO-247-3

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