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NTMFS4C06NBT3G

制造商：onsemi

封装外壳：8-PowerTDFN，5 引线

描述：MOSFET N-CH 30V 20A/69A 5DFN

2262 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的NTMFS4C06NBT3G，现有足量库存。NTMFS4C06NBT3G的封装/规格参数为:8-PowerTDFN，5 引线；同时斯普仑现货为您提供NTMFS4C06NBT3G数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有NTMFS4C06NBT3G的详细使用方法及教程。

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NTMFS4C06NBT3G产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 NTMFS4C06NBT3G
描述 MOSFET N-CH 30V 20A/69A 5DFN
制造商 onsemi
库存 2262
系列 -
包装 卷带（TR）
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 20A（Ta），69A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 4 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 26 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1683 pF @ 15 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.55W（Ta），30.5W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳 8-PowerTDFN，5 引线

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