APT5012JN规格参数_apt5012jn现货热销【斯普仑】

APT5012JN

制造商：Microsemi Corporation

封装外壳：SOT-227-4，miniBLOC

描述：MOSFET N-CH 500V 43A ISOTOP

3338 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Microsemi Corporation设计生产的APT5012JN，现有足量库存。APT5012JN的封装/规格参数为:SOT-227-4，miniBLOC；同时斯普仑现货为您提供APT5012JN数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有APT5012JN的详细使用方法及教程。

APT5012JN产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	APT5012JN
描述	MOSFET N-CH 500V 43A ISOTOP
制造商	Microsemi Corporation
库存	3338
系列	POWER MOS IV®
包装	托盘
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	43A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	120 毫欧 @ 21.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 2.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	370 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	6500 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	520W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	底座安装
供应商器件封装	ISOTOP®
封装/外壳	SOT-227-4，miniBLOC

APT5012JN

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