APT1002RBNG规格参数_apt1002rbng现货热销【斯普仑】

APT1002RBNG

制造商：Microsemi Corporation

封装外壳：TO-247-3

描述：MOSFET N-CH 1000V 8A TO247AD

7939 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Microsemi Corporation设计生产的APT1002RBNG，现有足量库存。APT1002RBNG的封装/规格参数为:TO-247-3；同时斯普仑现货为您提供APT1002RBNG数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有APT1002RBNG的详细使用方法及教程。

APT1002RBNG产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	APT1002RBNG
描述	MOSFET N-CH 1000V 8A TO247AD
制造商	Microsemi Corporation
库存	7939
系列	POWER MOS IV®
包装	管件
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	1.6 欧姆 @ 4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	105 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1800 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	240W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	TO-247AD
封装/外壳	TO-247-3

APT1002RBNG

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