SI8469DB-T2-E1规格参数_si8469db-t2-e1现货热销【斯普仑】

SI8469DB-T2-E1

制造商：Vishay Siliconix

封装外壳：4-UFBGA

描述：MOSFET P-CH 8V 4.6A 4MICROFOOT

6149 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Vishay Siliconix设计生产的SI8469DB-T2-E1，现有足量库存。SI8469DB-T2-E1的封装/规格参数为:4-UFBGA；同时斯普仑现货为您提供SI8469DB-T2-E1数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有SI8469DB-T2-E1的详细使用方法及教程。

SI8469DB-T2-E1产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	SI8469DB-T2-E1
描述	MOSFET P-CH 8V 4.6A 4MICROFOOT
制造商	Vishay Siliconix
库存	6149
系列	TrenchFET®
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	8 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	4.6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	64 毫欧 @ 1.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	800mV @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	17 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）	±5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	900 pF @ 4 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	780mW（Ta），1.8W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	4-Microfoot
封装/外壳	4-UFBGA

SI8469DB-T2-E1

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