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TPH3208PD

制造商：Transphorm

封装外壳：TO-220-3

描述：GANFET N-CH 650V 20A TO220AB

1390 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Transphorm设计生产的TPH3208PD，现有足量库存。TPH3208PD的封装/规格参数为:TO-220-3；同时斯普仑现货为您提供TPH3208PD数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有TPH3208PD的详细使用方法及教程。

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TPH3208PD产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 TPH3208PD
描述 GANFET N-CH 650V 20A TO220AB
制造商 Transphorm
库存 1390
系列 -
包装 管件
FET 类型 N 通道
技术 GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss） 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 20A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 130 毫欧 @ 13A，8V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.6V @ 300µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 14 nC @ 8 V
Vgs（最大值） ±18V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 760 pF @ 400 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 96W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220AB
封装/外壳 TO-220-3

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