STD19N3LLH6AG规格参数_std19n3llh6ag现货热销【斯普仑】

STD19N3LLH6AG

制造商：STMicroelectronics

封装外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

描述：MOSFET N-CH 30V 10A DPAK

1636 现货

斯普仑电子元件现货为您提供STMicroelectronics设计生产的STD19N3LLH6AG，现有足量库存。STD19N3LLH6AG的封装/规格参数为:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；同时斯普仑现货为您提供STD19N3LLH6AG数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有STD19N3LLH6AG的详细使用方法及教程。

STD19N3LLH6AG产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	STD19N3LLH6AG
描述	MOSFET N-CH 30V 10A DPAK
制造商	STMicroelectronics
库存	1636
系列	Automotive, AEC-Q101, STripFET™
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	10A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	33 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	3.7 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	321 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	30W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	DPAK
封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

STD19N3LLH6AG

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