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FCPF9N60NTYDTU

制造商:onsemi

封装外壳:TO-220-3 全封装,成形引线

描述:MOSFET N-CH 600V 9A TO220F-3

2935 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的FCPF9N60NTYDTU,现有足量库存。FCPF9N60NTYDTU的封装/规格参数为:TO-220-3 全封装,成形引线;同时斯普仑现货为您提供FCPF9N60NTYDTU数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有FCPF9N60NTYDTU的详细使用方法及教程。

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FCPF9N60NTYDTU产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 FCPF9N60NTYDTU
描述 MOSFET N-CH 600V 9A TO220F-3
制造商 onsemi
库存 2935
系列 SupreMOS™
包装 管件 , 管件 , 管件
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 9A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 385 毫欧 @ 4.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 29 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1240 pF @ 100 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 29.8W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220F-3(Y 型)
封装/外壳 TO-220-3 全封装,成形引线

为智能时代加速到来而付出“真芯”