RJK0629DPE-00#J3规格参数_rjk0629dpe-00#j3现货热销【斯普仑】

RJK0629DPE-00#J3

制造商：Renesas Electronics America Inc

封装外壳：SC-83

描述：MOSFET N-CH 60V 85A 4LDPAK

4019 现货

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RJK0629DPE-00#J3产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	RJK0629DPE-00#J3
描述	MOSFET N-CH 60V 85A 4LDPAK
制造商	Renesas Electronics America Inc
库存	4019
系列	-
包装	卷带（TR）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	85A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	4.5 毫欧 @ 43A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	85 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	4100 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	100W（Tc）
工作温度	150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	LDPAK
封装/外壳	SC-83

RJK0629DPE-00#J3

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