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制造商：Vishay General Semiconductor - Diodes Division
封装外壳：SOT-227-4，miniBLOC
描述：MOSFET N-CH 200V 108A SOT227
斯普仑电子元件现货为您提供Vishay General Semiconductor - Diodes Division设计生产的VS-FC80NA20，现有足量库存。VS-FC80NA20的封装/规格参数为:SOT-227-4，miniBLOC；同时斯普仑现货为您提供VS-FC80NA20数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有VS-FC80NA20的详细使用方法及教程。
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| VS-FC80NA20产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | VS-FC80NA20 |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 108A SOT227 |
| 制造商 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| 库存 | 7973 |
| 系列 | - |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 108A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 14 毫欧 @ 80A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 161 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 10720 pF @ 50 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 405W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 供应商器件封装 | SOT-227 |
| 封装/外壳 | SOT-227-4，miniBLOC |
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