GA20SICP12-247规格参数_ga20sicp12-247现货热销【斯普仑】

GA20SICP12-247

制造商：GeneSiC Semiconductor

封装外壳：TO-247-3

描述：TRANS SJT 1200V 45A TO247AB

5793 现货

斯普仑电子元件现货为您提供GeneSiC Semiconductor设计生产的GA20SICP12-247，现有足量库存。GA20SICP12-247的封装/规格参数为:TO-247-3；同时斯普仑现货为您提供GA20SICP12-247数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有GA20SICP12-247的详细使用方法及教程。

GA20SICP12-247产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	GA20SICP12-247
描述	TRANS SJT 1200V 45A TO247AB
制造商	GeneSiC Semiconductor
库存	5793
系列	-
包装	管件
FET 类型	-
技术	SiC（碳化硅结晶体管）
漏源电压（Vdss）	1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	45A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	50 毫欧 @ 20A
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	-
Vgs（最大值）	-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	3091 pF @ 800 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	282W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	TO-247AB
封装/外壳	TO-247-3

GA20SICP12-247

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