GA100JT12-227规格参数_ga100jt12-227现货热销【斯普仑】

GA100JT12-227

制造商：GeneSiC Semiconductor

封装外壳：SOT-227-4，miniBLOC

描述：TRANS SJT 1200V 160A SOT227

9964 现货

斯普仑电子元件现货为您提供GeneSiC Semiconductor设计生产的GA100JT12-227，现有足量库存。GA100JT12-227的封装/规格参数为:SOT-227-4，miniBLOC；同时斯普仑现货为您提供GA100JT12-227数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有GA100JT12-227的详细使用方法及教程。

GA100JT12-227产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	GA100JT12-227
描述	TRANS SJT 1200V 160A SOT227
制造商	GeneSiC Semiconductor
库存	9964
系列	-
包装	管件
FET 类型	-
技术	SiC（碳化硅结晶体管）
漏源电压（Vdss）	1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	160A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	10 毫欧 @ 100A
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	-
Vgs（最大值）	-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	14400 pF @ 800 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	535W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	底座安装
供应商器件封装	SOT-227
封装/外壳	SOT-227-4，miniBLOC

GA100JT12-227

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