IPL60R255P6AUMA1规格参数_ipl60r255p6auma1现货热销【斯普仑】

IPL60R255P6AUMA1

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：4-PowerTSFN

描述：MOSFET N-CH 600V 15.9A 4VSON

5684 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IPL60R255P6AUMA1，现有足量库存。IPL60R255P6AUMA1的封装/规格参数为:4-PowerTSFN；同时斯普仑现货为您提供IPL60R255P6AUMA1数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IPL60R255P6AUMA1的详细使用方法及教程。

IPL60R255P6AUMA1产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	IPL60R255P6AUMA1
描述	MOSFET N-CH 600V 15.9A 4VSON
制造商	Infineon Technologies
库存	5684
系列	CoolMOS™ P6
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	15.9A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	255 毫欧 @ 6.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4.5V @ 530µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	31 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1450 pF @ 100 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	126W（Tc）
工作温度	-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PG-VSON-4
封装/外壳	4-PowerTSFN

IPL60R255P6AUMA1

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