DMN55D0UTQ-7规格参数_dmn55d0utq-7现货热销【斯普仑】

DMN55D0UTQ-7

制造商：Diodes Incorporated

封装外壳：SOT-523

描述：MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-523

6204 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Diodes Incorporated设计生产的DMN55D0UTQ-7，现有足量库存。DMN55D0UTQ-7的封装/规格参数为:SOT-523；同时斯普仑现货为您提供DMN55D0UTQ-7数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有DMN55D0UTQ-7的详细使用方法及教程。

DMN55D0UTQ-7产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	DMN55D0UTQ-7
描述	MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-523
制造商	Diodes Incorporated
库存	6204
系列	-
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	160mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	2.5V，4V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	4 欧姆 @ 100mA，4V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	-
Vgs（最大值）	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	25 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	200mW（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	SOT-523
封装/外壳	SOT-523

DMN55D0UTQ-7

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