UPA2812T1L-E1-AT规格参数_upa2812t1l-e1-at现货热销【斯普仑】

UPA2812T1L-E1-AT

制造商：Renesas Electronics America Inc

封装外壳：8-PowerVDFN

描述：MOSFET P-CH 30V 30A 8HVSON

1475 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Renesas Electronics America Inc设计生产的UPA2812T1L-E1-AT，现有足量库存。UPA2812T1L-E1-AT的封装/规格参数为:8-PowerVDFN；同时斯普仑现货为您提供UPA2812T1L-E1-AT数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有UPA2812T1L-E1-AT的详细使用方法及教程。

UPA2812T1L-E1-AT产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	UPA2812T1L-E1-AT
描述	MOSFET P-CH 30V 30A 8HVSON
制造商	Renesas Electronics America Inc
库存	1475
系列	-
包装	卷带（TR）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	30A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	4.8 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	100 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	3740 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	1.5W（Ta），52W（Tc）
工作温度	150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-HVSON（3.3x3.3）
封装/外壳	8-PowerVDFN

UPA2812T1L-E1-AT

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