H7N1002LSTL-E规格参数_h7n1002lstl-e现货热销【斯普仑】

H7N1002LSTL-E

制造商：Renesas Electronics America Inc

封装外壳：SC-83

描述：MOSFET N-CH 100V 75A 4LDPAK

1718 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Renesas Electronics America Inc设计生产的H7N1002LSTL-E，现有足量库存。H7N1002LSTL-E的封装/规格参数为:SC-83；同时斯普仑现货为您提供H7N1002LSTL-E数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有H7N1002LSTL-E的详细使用方法及教程。

H7N1002LSTL-E产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	H7N1002LSTL-E
描述	MOSFET N-CH 100V 75A 4LDPAK
制造商	Renesas Electronics America Inc
库存	1718
系列	-
包装	卷带（TR）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	75A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	10 毫欧 @ 37.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	155 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	9700 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	100W（Tc）
工作温度	150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	LDPAK
封装/外壳	SC-83

H7N1002LSTL-E

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