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NTP8G202NG

制造商：onsemi

封装外壳：TO-220-3

描述：GANFET N-CH 600V 9A TO220-3

1039 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的NTP8G202NG，现有足量库存。NTP8G202NG的封装/规格参数为:TO-220-3；同时斯普仑现货为您提供NTP8G202NG数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有NTP8G202NG的详细使用方法及教程。

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NTP8G202NG产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 NTP8G202NG
描述 GANFET N-CH 600V 9A TO220-3
制造商 onsemi
库存 1039
系列 -
包装 管件
FET 类型 N 通道
技术 GaNFET（共源共栅氮化镓 FET）
漏源电压（Vdss） 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 9A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 8V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 350 毫欧 @ 5.5A，8V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.6V @ 500µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 9.3 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值） ±18V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 760 pF @ 400 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 65W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220
封装/外壳 TO-220-3

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