NTLUS3C18PZTBG规格参数_ntlus3c18pztbg现货热销【斯普仑】

NTLUS3C18PZTBG

制造商：onsemi

封装外壳：6-PowerUFDFN

描述：MOSFET P-CH 12V 4.4A 6UDFN

8833 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的NTLUS3C18PZTBG，现有足量库存。NTLUS3C18PZTBG的封装/规格参数为:6-PowerUFDFN；同时斯普仑现货为您提供NTLUS3C18PZTBG数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有NTLUS3C18PZTBG的详细使用方法及教程。

NTLUS3C18PZTBG产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	NTLUS3C18PZTBG
描述	MOSFET P-CH 12V 4.4A 6UDFN
制造商	onsemi
库存	8833
系列	-
包装	卷带（TR）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	12 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	4.4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	24 毫欧 @ 7A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	15.8 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1570 pF @ 6 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	660mW（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	6-UDFN（1.6x1.6）
封装/外壳	6-PowerUFDFN

NTLUS3C18PZTBG

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