NTTFS4H07NTWG规格参数_nttfs4h07ntwg现货热销【斯普仑】

制造商：onsemi

封装外壳：8-PowerWDFN

描述：MOSFET N-CH 25V 18.5A/66A 8WDFN

5328 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的NTTFS4H07NTWG，现有足量库存。NTTFS4H07NTWG的封装/规格参数为:8-PowerWDFN；同时斯普仑现货为您提供NTTFS4H07NTWG数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有NTTFS4H07NTWG的详细使用方法及教程。

NTTFS4H07NTWG产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	NTTFS4H07NTWG
描述	MOSFET N-CH 25V 18.5A/66A 8WDFN
制造商	onsemi
库存	5328
系列	-
包装	卷带（TR）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	18.5A（Ta），66A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	4.8 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	12.4 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	771 pF @ 12 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	2.64W（Ta），33.8W（Tc）
工作温度	150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-WDFN（3.3x3.3）
封装/外壳	8-PowerWDFN