IPA50R650CEXKSA2规格参数_ipa50r650cexksa2现货热销【斯普仑】

IPA50R650CEXKSA2

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：TO-220-3 整包

描述：MOSFET N-CH 500V 4.6A TO220

3941 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IPA50R650CEXKSA2，现有足量库存。IPA50R650CEXKSA2的封装/规格参数为:TO-220-3 整包；同时斯普仑现货为您提供IPA50R650CEXKSA2数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IPA50R650CEXKSA2的详细使用方法及教程。

IPA50R650CEXKSA2产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	IPA50R650CEXKSA2
描述	MOSFET N-CH 500V 4.6A TO220
制造商	Infineon Technologies
库存	3941
系列	CoolMOS™ CE
包装	管件
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	4.6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	13V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	650 毫欧 @ 1.8A，13V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	3.5V @ 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	15 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	342 pF @ 100 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	27.2W（Tc）
工作温度	-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	PG-TO220-3-FP
封装/外壳	TO-220-3 整包

IPA50R650CEXKSA2

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