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NTD4969NT4G

制造商：onsemi

封装外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

描述：MOSFET N-CH 30V 9.4A/41A DPAK

9636 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的NTD4969NT4G，现有足量库存。NTD4969NT4G的封装/规格参数为:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；同时斯普仑现货为您提供NTD4969NT4G数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有NTD4969NT4G的详细使用方法及教程。

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NTD4969NT4G产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 NTD4969NT4G
描述 MOSFET N-CH 30V 9.4A/41A DPAK
制造商 onsemi
库存 9636
系列 -
包装 卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 9.4A（Ta），41A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 9 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 9 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 837 pF @ 15 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.38W（Ta），26.3W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 DPAK
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

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