HTNFET-DC规格参数_htnfet-dc现货热销【斯普仑】

制造商：Honeywell Aerospace

封装外壳：8-CDIP 裸露焊盘

描述：MOSFET N-CH 55V 8-DIP

3362 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Honeywell Aerospace设计生产的HTNFET-DC，现有足量库存。HTNFET-DC的封装/规格参数为:8-CDIP 裸露焊盘；同时斯普仑现货为您提供HTNFET-DC数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有HTNFET-DC的详细使用方法及教程。

HTNFET-DC产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	HTNFET-DC
描述	MOSFET N-CH 55V 8-DIP
制造商	Honeywell Aerospace
库存	3362
系列	HTMOS™
包装	散装
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	-
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	400 毫欧 @ 100mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.4V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	4.3 nC @ 5 V
Vgs（最大值）	10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	290 pF @ 28 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	50W（Tj）
工作温度	-
安装类型	通孔
供应商器件封装	-
封装/外壳	8-CDIP 裸露焊盘