欢迎访问斯普仑网站
24小时电话: 400-900-8690
制造商：Vishay General Semiconductor - Diodes Division
封装外壳：SOT-227-4，miniBLOC
描述：MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227
斯普仑电子元件现货为您提供Vishay General Semiconductor - Diodes Division设计生产的VS-FB180SA10P，现有足量库存。VS-FB180SA10P的封装/规格参数为:SOT-227-4，miniBLOC；同时斯普仑现货为您提供VS-FB180SA10P数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有VS-FB180SA10P的详细使用方法及教程。
斯普仑电子元件现货为您提供Vishay General Semiconductor - Diodes Division设计生产的VS-FB180SA10P，现有足量库存。VS-FB180SA10P的封装/规格参数为:SOT-227-4，miniBLOC；同时斯普仑现货为您提供VS-FB180SA10P数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有VS-FB180SA10P的详细使用方法及教程。
| VS-FB180SA10P产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | VS-FB180SA10P |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227 |
| 制造商 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| 库存 | 9957 |
| 系列 | - |
| 包装 | 散装 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 180A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 6.5 毫欧 @ 180A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 380 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 10700 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 480W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 供应商器件封装 | SOT-227 |
| 封装/外壳 | SOT-227-4，miniBLOC |
_SOT226%20Pkg.jpg)
