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制造商：Infineon Technologies
封装外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
描述：MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IPD80R2K8CEBTMA1，现有足量库存。IPD80R2K8CEBTMA1的封装/规格参数为:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；同时斯普仑现货为您提供IPD80R2K8CEBTMA1数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IPD80R2K8CEBTMA1的详细使用方法及教程。
斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IPD80R2K8CEBTMA1，现有足量库存。IPD80R2K8CEBTMA1的封装/规格参数为:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；同时斯普仑现货为您提供IPD80R2K8CEBTMA1数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IPD80R2K8CEBTMA1的详细使用方法及教程。
| IPD80R2K8CEBTMA1产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | IPD80R2K8CEBTMA1 |
| 描述 | MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3 |
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 库存 | 1828 |
| 系列 | CoolMOS™ |
| 包装 | 卷带（TR） , 剪切带（CT） |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 800 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.9A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.8 欧姆 @ 1.1A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.9V @ 120µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 12 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 290 pF @ 100 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 42W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PG-TO252-3-11 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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