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CTLDM3590 TR

制造商：Central Semiconductor Corp

封装外壳：3-XFDFN

描述：MOSFET N-CH 20V 160MA TLM3D6D8

8137 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Central Semiconductor Corp设计生产的CTLDM3590 TR，现有足量库存。CTLDM3590 TR的封装/规格参数为:3-XFDFN；同时斯普仑现货为您提供CTLDM3590 TR数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有CTLDM3590 TR的详细使用方法及教程。

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CTLDM3590 TR产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 CTLDM3590 TR
描述 MOSFET N-CH 20V 160MA TLM3D6D8
制造商 Central Semiconductor Corp
库存 8137
系列 -
包装 卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 160mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.2V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 3 欧姆 @ 100mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 0.46 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值） 8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 9 pF @ 15 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 125mW（Ta）
工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 TLM3D6D8
封装/外壳 3-XFDFN

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