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FDMC8878_F126

制造商：onsemi

封装外壳：8-PowerWDFN

描述：MOSFET N-CH 30V 9.6A/16.5A 8MLP

3361 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的FDMC8878_F126，现有足量库存。FDMC8878_F126的封装/规格参数为:8-PowerWDFN；同时斯普仑现货为您提供FDMC8878_F126数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有FDMC8878_F126的详细使用方法及教程。

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FDMC8878_F126产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 FDMC8878_F126
描述 MOSFET N-CH 30V 9.6A/16.5A 8MLP
制造商 onsemi
库存 3361
系列 PowerTrench®
包装 卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 9.6A（Ta），16.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 14 毫欧 @ 9.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 26 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1230 pF @ 15 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.1W（Ta），31W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 8-MLP（3.3x3.3）
封装/外壳 8-PowerWDFN

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