IRFH7185TRPBF规格参数_irfh7185trpbf现货热销【斯普仑】

IRFH7185TRPBF

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：8-PowerTDFN

描述：MOSFET N CH 100V 19A 8QFN

1852 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IRFH7185TRPBF，现有足量库存。IRFH7185TRPBF的封装/规格参数为:8-PowerTDFN；同时斯普仑现货为您提供IRFH7185TRPBF数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IRFH7185TRPBF的详细使用方法及教程。

IRFH7185TRPBF产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	IRFH7185TRPBF
描述	MOSFET N CH 100V 19A 8QFN
制造商	Infineon Technologies
库存	1852
系列	FASTIRFET™, HEXFET®
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	19A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	5.2 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	3.6V @ 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	54 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	2320 pF @ 50 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	3.6W（Ta），160W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-PQFN（5x6）
封装/外壳	8-PowerTDFN

IRFH7185TRPBF

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