NDFPD1N150CG规格参数_ndfpd1n150cg现货热销【斯普仑】

制造商：onsemi

封装外壳：TO-220-3 整包

描述：MOSFET N-CH 1500V 100MA TO220-3

4854 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的NDFPD1N150CG，现有足量库存。NDFPD1N150CG的封装/规格参数为:TO-220-3 整包；同时斯普仑现货为您提供NDFPD1N150CG数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有NDFPD1N150CG的详细使用方法及教程。

NDFPD1N150CG产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	NDFPD1N150CG
描述	MOSFET N-CH 1500V 100MA TO220-3
制造商	onsemi
库存	4854
系列	-
包装	管件
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	1500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	100mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	150 欧姆 @ 50mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	4.2 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	80 pF @ 30 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	2W（Ta），20W（Tc）
工作温度	150°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	TO-220-3
封装/外壳	TO-220-3 整包