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FDB8832-F085

制造商：onsemi

封装外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

描述：MOSFET N-CH 30V 34A TO263AB

2099 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的FDB8832-F085，现有足量库存。FDB8832-F085的封装/规格参数为:TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；同时斯普仑现货为您提供FDB8832-F085数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有FDB8832-F085的详细使用方法及教程。

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FDB8832-F085产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 FDB8832-F085
描述 MOSFET N-CH 30V 34A TO263AB
制造商 onsemi
库存 2099
系列 Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
包装 卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 34A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 1.9 毫欧 @ 80A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 265 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 11400 pF @ 15 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 300W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 D²PAK（TO-263）
封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

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