FDFME2P823ZT规格参数_fdfme2p823zt现货热销【斯普仑】

制造商：onsemi

封装外壳：6-UFDFN 裸露焊盘

描述：MOSFET P-CH 20V 2.6A 6MICROFET

3813 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的FDFME2P823ZT，现有足量库存。FDFME2P823ZT的封装/规格参数为:6-UFDFN 裸露焊盘；同时斯普仑现货为您提供FDFME2P823ZT数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有FDFME2P823ZT的详细使用方法及教程。

FDFME2P823ZT产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	FDFME2P823ZT
描述	MOSFET P-CH 20V 2.6A 6MICROFET
制造商	onsemi
库存	3813
系列	PowerTrench®
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	2.6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	142 毫欧 @ 2.3A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	7.7 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	405 pF @ 10 V
FET 功能	肖特基二极管（隔离式）
功率耗散（最大值）	1.4W（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	6-MicroFET（1.6x1.6）
封装/外壳	6-UFDFN 裸露焊盘