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FDFM2P110

制造商:onsemi

封装外壳:6-WDFN 裸露焊盘

描述:MOSFET P-CH 20V 3.5A MICROFET

6476 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的FDFM2P110,现有足量库存。FDFM2P110的封装/规格参数为:6-WDFN 裸露焊盘;同时斯普仑现货为您提供FDFM2P110数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有FDFM2P110的详细使用方法及教程。

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FDFM2P110产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 FDFM2P110
描述 MOSFET P-CH 20V 3.5A MICROFET
制造商 onsemi
库存 6476
系列 PowerTrench®
包装 卷带(TR) , 卷带(TR) , 卷带(TR) , 剪切带(CT)
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 3.5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 140 毫欧 @ 3.5A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 4 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 280 pF @ 10 V
FET 功能 肖特基二极管(隔离式)
功率耗散(最大值) 2W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 MicroFET 3x3mm
封装/外壳 6-WDFN 裸露焊盘

为智能时代加速到来而付出“真芯”