STB26NM60ND规格参数_stb26nm60nd现货热销【斯普仑】

STB26NM60ND

制造商：STMicroelectronics

封装外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

描述：MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK

9272 现货

斯普仑电子元件现货为您提供STMicroelectronics设计生产的STB26NM60ND，现有足量库存。STB26NM60ND的封装/规格参数为:TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；同时斯普仑现货为您提供STB26NM60ND数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有STB26NM60ND的详细使用方法及教程。

STB26NM60ND产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	STB26NM60ND
描述	MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
制造商	STMicroelectronics
库存	9272
系列	FDmesh™ II
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	21A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	175 毫欧 @ 10.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	54.6 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1817 pF @ 100 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	190W（Tc）
工作温度	150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	D²PAK（TO-263）
封装/外壳	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

STB26NM60ND

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