IRFHM8342TRPBF规格参数_irfhm8342trpbf现货热销【斯普仑】

IRFHM8342TRPBF

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：8-PowerTDFN

描述：MOSFET N-CH 30V 10A 8PQFN

6414 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IRFHM8342TRPBF，现有足量库存。IRFHM8342TRPBF的封装/规格参数为:8-PowerTDFN；同时斯普仑现货为您提供IRFHM8342TRPBF数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IRFHM8342TRPBF的详细使用方法及教程。

IRFHM8342TRPBF产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	IRFHM8342TRPBF
描述	MOSFET N-CH 30V 10A 8PQFN
制造商	Infineon Technologies
库存	6414
系列	HEXFET®
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	10A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	16 毫欧 @ 17A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.35V @ 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	7.5 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	560 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	2.6W（Ta），20W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-PQFN（3.3x3.3），Power33
封装/外壳	8-PowerTDFN

IRFHM8342TRPBF

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