欢迎访问斯普仑网站

24小时电话: 400-900-8690

   400-900-8690

IRFD113

制造商：Vishay Siliconix

封装外壳：4-DIP（0.300"，7.62mm）

描述：MOSFET N-CH 60V 800MA 4DIP

2240 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Vishay Siliconix设计生产的IRFD113，现有足量库存。IRFD113的封装/规格参数为:4-DIP（0.300"，7.62mm）；同时斯普仑现货为您提供IRFD113数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IRFD113的详细使用方法及教程。

斯普仑电子元件现货为您提供Vishay Siliconix设计生产的IRFD113，现有足量库存。IRFD113的封装/规格参数为:4-DIP（0.300"，7.62mm）；同时斯普仑现货为您提供IRFD113数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IRFD113的详细使用方法及教程。

IRFD113产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 IRFD113
描述 MOSFET N-CH 60V 800MA 4DIP
制造商 Vishay Siliconix
库存 2240
系列 -
包装 管件
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 800mA（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 800 毫欧 @ 800mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 7 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 200 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 4-HVMDIP
封装/外壳 4-DIP（0.300"，7.62mm）

猜您喜欢

Vishay Siliconix

G15

Vishay Siliconix

E3M0065090D

Vishay Siliconix

C2M0080170P

Vishay Siliconix

CPMF-1200-S160B

Vishay Siliconix

CPMF-1200-S080B

Vishay Siliconix

CPM2-1200-0160B

Vishay Siliconix

CPM2-1200-0080B

Vishay Siliconix

BUK7Y25-80E/GFX

Vishay Siliconix

BUK7Y25-80E/CX

Vishay Siliconix

PSMN7R6-60XSQ

Vishay Siliconix

BUK761R5-40EJ

Vishay Siliconix

PSMN8R5-108ESQ

Vishay Siliconix

PSMN3R9-60XSQ

Vishay Siliconix

BUK9C1R3-40EJ

Vishay Siliconix

BUK951R8-40EQ

Vishay Siliconix

PMT760EN,115

Vishay Siliconix

PMT200EN,115

Vishay Siliconix

BUK9C5R3-100EJ

Vishay Siliconix

BUK9C3R8-80EJ

Vishay Siliconix

BUK9C2R2-60EJ

为智能时代加速到来而付出“真芯”