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3N163-E3

制造商：Vishay Siliconix

封装外壳：TO-206AF，TO-72-4 金属罐

描述：MOSFET P-CH 40V 50MA TO72

9493 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Vishay Siliconix设计生产的3N163-E3，现有足量库存。3N163-E3的封装/规格参数为:TO-206AF，TO-72-4 金属罐；同时斯普仑现货为您提供3N163-E3数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有3N163-E3的详细使用方法及教程。

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3N163-E3产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 3N163-E3
描述 MOSFET P-CH 40V 50MA TO72
制造商 Vishay Siliconix
库存 9493
系列 -
包装 散装
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 50mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 250 欧姆 @ 100µA，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 5V @ 10µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） -
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 3.5 pF @ 15 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 375mW（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-72
封装/外壳 TO-206AF，TO-72-4 金属罐

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