UPA2765T1A-E2-AY规格参数_upa2765t1a-e2-ay现货热销【斯普仑】

UPA2765T1A-E2-AY

制造商：Renesas Electronics America Inc

封装外壳：8-PowerVDFN

描述：MOSFET N-CH 30V 100A 8HVSON

6836 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Renesas Electronics America Inc设计生产的UPA2765T1A-E2-AY，现有足量库存。UPA2765T1A-E2-AY的封装/规格参数为:8-PowerVDFN；同时斯普仑现货为您提供UPA2765T1A-E2-AY数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有UPA2765T1A-E2-AY的详细使用方法及教程。

UPA2765T1A-E2-AY产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	UPA2765T1A-E2-AY
描述	MOSFET N-CH 30V 100A 8HVSON
制造商	Renesas Electronics America Inc
库存	6836
系列	-
包装	卷带（TR）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	100A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	2.9 毫欧 @ 32A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	152 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	6550 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	1.5W（Ta），83W（Tc）
工作温度	150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-HVSON（5x5.4）
封装/外壳	8-PowerVDFN

UPA2765T1A-E2-AY

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