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制造商：Renesas Electronics America Inc
封装外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
描述：MOSFET P-CH 30V 3.3A 3MPAK
斯普仑电子元件现货为您提供Renesas Electronics America Inc设计生产的RQJ0303PGDQA#H6，现有足量库存。RQJ0303PGDQA#H6的封装/规格参数为:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；同时斯普仑现货为您提供RQJ0303PGDQA#H6数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有RQJ0303PGDQA#H6的详细使用方法及教程。
斯普仑电子元件现货为您提供Renesas Electronics America Inc设计生产的RQJ0303PGDQA#H6，现有足量库存。RQJ0303PGDQA#H6的封装/规格参数为:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；同时斯普仑现货为您提供RQJ0303PGDQA#H6数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有RQJ0303PGDQA#H6的详细使用方法及教程。
| RQJ0303PGDQA#H6产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | RQJ0303PGDQA#H6 |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 3.3A 3MPAK |
| 制造商 | Renesas Electronics America Inc |
| 库存 | 7957 |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带（TR） |
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.3A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 68 毫欧 @ 1.6A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 12 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | +10V，-20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 625 pF @ 10 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 800mW（Ta） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 3-MPAK |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
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