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FDD850N10LD

制造商：onsemi

封装外壳：TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD

描述：MOSFET N-CH 100V 15.3A TO252-4L

2500 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的FDD850N10LD，现有足量库存。FDD850N10LD的封装/规格参数为:TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD；同时斯普仑现货为您提供FDD850N10LD数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有FDD850N10LD的详细使用方法及教程。

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FDD850N10LD产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 FDD850N10LD
描述 MOSFET N-CH 100V 15.3A TO252-4L
制造商 onsemi
库存 2500
系列 PowerTrench®
包装 卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 15.3A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 75 毫欧 @ 12A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 28.9 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1465 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 42W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 TO-252（DPAK）
封装/外壳 TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD

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