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PMV90EN,215

制造商:NXP USA Inc.

封装外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

描述:MOSFET N-CH 30V 1.9A TO236AB

2601 现货

斯普仑电子元件现货为您提供NXP USA Inc.设计生产的PMV90EN,215,现有足量库存。PMV90EN,215的封装/规格参数为:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;同时斯普仑现货为您提供PMV90EN,215数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有PMV90EN,215的详细使用方法及教程。

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PMV90EN,215产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 PMV90EN,215
描述 MOSFET N-CH 30V 1.9A TO236AB
制造商 NXP USA Inc.
库存 2601
系列 -
包装 卷带(TR) , 剪切带(CT)
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1.9A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 84 毫欧 @ 1.9A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 4 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 132 pF @ 15 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 310mW(Ta),2.09W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 SOT-23(TO-236AB)
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

为智能时代加速到来而付出“真芯”