PMR670UPE,115规格参数_pmr670upe,115现货热销【斯普仑】

PMR670UPE,115

制造商：NXP USA Inc.

封装外壳：SC-75，SOT-416

描述：MOSFET P-CH 20V 480MA SC75

4797 现货

斯普仑电子元件现货为您提供NXP USA Inc.设计生产的PMR670UPE,115，现有足量库存。PMR670UPE,115的封装/规格参数为:SC-75，SOT-416；同时斯普仑现货为您提供PMR670UPE,115数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有PMR670UPE,115的详细使用方法及教程。

PMR670UPE,115产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	PMR670UPE,115
描述	MOSFET P-CH 20V 480MA SC75
制造商	NXP USA Inc.
库存	4797
系列	-
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	480mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	850 毫欧 @ 400mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1.3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	1.14 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	87 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	250mW（Ta），770mW（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	SC-75
封装/外壳	SC-75，SOT-416

PMR670UPE,115

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