欢迎访问斯普仑网站

24小时电话: 400-900-8690

   400-900-8690

PMN22XN,115

制造商：NXP USA Inc.

封装外壳：SC-74，SOT-457

描述：MOSFET N-CH 30V 5.7A 6TSOP

3643 现货

斯普仑电子元件现货为您提供NXP USA Inc.设计生产的PMN22XN,115，现有足量库存。PMN22XN,115的封装/规格参数为:SC-74，SOT-457；同时斯普仑现货为您提供PMN22XN,115数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有PMN22XN,115的详细使用方法及教程。

斯普仑电子元件现货为您提供NXP USA Inc.设计生产的PMN22XN,115，现有足量库存。PMN22XN,115的封装/规格参数为:SC-74，SOT-457；同时斯普仑现货为您提供PMN22XN,115数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有PMN22XN,115的详细使用方法及教程。

PMN22XN,115产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 PMN22XN,115
描述 MOSFET N-CH 30V 5.7A 6TSOP
制造商 NXP USA Inc.
库存 3643
系列 -
包装 卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 5.7A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 27 毫欧 @ 5.7A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 10 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值） ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 585 pF @ 15 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 545mW（Ta），6.25W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 SC-74
封装/外壳 SC-74，SOT-457

猜您喜欢

NXP USA Inc.

G15

NXP USA Inc.

E3M0065090D

NXP USA Inc.

C2M0080170P

NXP USA Inc.

CPMF-1200-S160B

NXP USA Inc.

CPMF-1200-S080B

NXP USA Inc.

CPM2-1200-0160B

NXP USA Inc.

CPM2-1200-0080B

NXP USA Inc.

BUK7Y25-80E/GFX

NXP USA Inc.

BUK7Y25-80E/CX

NXP USA Inc.

PSMN7R6-60XSQ

NXP USA Inc.

BUK761R5-40EJ

NXP USA Inc.

PSMN8R5-108ESQ

NXP USA Inc.

PSMN3R9-60XSQ

NXP USA Inc.

BUK9C1R3-40EJ

NXP USA Inc.

BUK951R8-40EQ

NXP USA Inc.

PMT760EN,115

NXP USA Inc.

PMT200EN,115

NXP USA Inc.

BUK9C5R3-100EJ

NXP USA Inc.

BUK9C3R8-80EJ

NXP USA Inc.

BUK9C2R2-60EJ

为智能时代加速到来而付出“真芯”