PMPB16XN,115规格参数_pmpb16xn,115现货热销【斯普仑】

PMPB16XN,115

制造商：NXP USA Inc.

封装外壳：6-UDFN 裸露焊盘

描述：MOSFET N-CH 30V 7.2A 6DFN

1920 现货

斯普仑电子元件现货为您提供NXP USA Inc.设计生产的PMPB16XN,115，现有足量库存。PMPB16XN,115的封装/规格参数为:6-UDFN 裸露焊盘；同时斯普仑现货为您提供PMPB16XN,115数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有PMPB16XN,115的详细使用方法及教程。

PMPB16XN,115产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	PMPB16XN,115
描述	MOSFET N-CH 30V 7.2A 6DFN
制造商	NXP USA Inc.
库存	1920
系列	-
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	7.2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	21 毫欧 @ 7.2A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	10.8 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	775 pF @ 15 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	1.7W（Ta），12.5W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	6-DFN2020MD（2x2）
封装/外壳	6-UDFN 裸露焊盘

PMPB16XN,115

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