JANTXV2N6800规格参数_jantxv2n6800现货热销【斯普仑】

JANTXV2N6800

制造商：Microsemi Corporation

封装外壳：TO-205AF 金属罐

描述：MOSFET N-CH 400V 3A TO205AF

7922 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Microsemi Corporation设计生产的JANTXV2N6800，现有足量库存。JANTXV2N6800的封装/规格参数为:TO-205AF 金属罐；同时斯普仑现货为您提供JANTXV2N6800数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有JANTXV2N6800的详细使用方法及教程。

JANTXV2N6800产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	JANTXV2N6800
描述	MOSFET N-CH 400V 3A TO205AF
制造商	Microsemi Corporation
库存	7922
系列	Military, MIL-PRF-19500/557
包装	散装
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	400 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	3A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	1.1 欧姆 @ 3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	34.75 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	-
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	800mW（Ta），25W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	TO-205AF（TO-39）
封装/外壳	TO-205AF 金属罐

JANTXV2N6800

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