APTML20UM18R010T1AG规格参数_aptml20um18r010t1ag现货热销【斯普仑】

APTML20UM18R010T1AG

制造商：Microsemi Corporation

封装外壳：SP1

描述：MOSFET N-CH 200V 109A SP1

4276 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Microsemi Corporation设计生产的APTML20UM18R010T1AG，现有足量库存。APTML20UM18R010T1AG的封装/规格参数为:SP1；同时斯普仑现货为您提供APTML20UM18R010T1AG数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有APTML20UM18R010T1AG的详细使用方法及教程。

APTML20UM18R010T1AG产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	APTML20UM18R010T1AG
描述	MOSFET N-CH 200V 109A SP1
制造商	Microsemi Corporation
库存	4276
系列	-
包装	散装
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	109A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	19 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 2.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	-
Vgs（最大值）	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	9880 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	480W（Tc）
工作温度	-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	底座安装
供应商器件封装	SP1
封装/外壳	SP1

APTML20UM18R010T1AG

猜您喜欢

G15

E3M0065090D

C2M0080170P

CPMF-1200-S160B

CPMF-1200-S080B

CPM2-1200-0160B

CPM2-1200-0080B

BUK7Y25-80E/GFX

BUK7Y25-80E/CX

PSMN7R6-60XSQ

BUK761R5-40EJ

PSMN8R5-108ESQ

PSMN3R9-60XSQ

BUK9C1R3-40EJ

BUK951R8-40EQ

PMT760EN,115

PMT200EN,115

BUK9C5R3-100EJ

BUK9C3R8-80EJ

BUK9C2R2-60EJ

为智能时代加速到来而付出“真芯”

热门类目

关于斯普仑

帮助中心