APTM100DA18CT1G规格参数_aptm100da18ct1g现货热销【斯普仑】

APTM100DA18CT1G

制造商：Microsemi Corporation

封装外壳：SP1

描述：MOSFET N-CH 1000V 40A SP1

1389 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Microsemi Corporation设计生产的APTM100DA18CT1G，现有足量库存。APTM100DA18CT1G的封装/规格参数为:SP1；同时斯普仑现货为您提供APTM100DA18CT1G数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有APTM100DA18CT1G的详细使用方法及教程。

APTM100DA18CT1G产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	APTM100DA18CT1G
描述	MOSFET N-CH 1000V 40A SP1
制造商	Microsemi Corporation
库存	1389
系列	POWER MOS 8™
包装	散装
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	216 毫欧 @ 33A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	5V @ 2.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	570 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	14800 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	657W（Tc）
工作温度	-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	底座安装
供应商器件封装	SP1
封装/外壳	SP1

APTM100DA18CT1G

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