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APT38N60SC6

制造商:Microsemi Corporation

封装外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

描述:MOSFET N-CH 600V 38A D3PAK

3435 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Microsemi Corporation设计生产的APT38N60SC6,现有足量库存。APT38N60SC6的封装/规格参数为:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;同时斯普仑现货为您提供APT38N60SC6数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有APT38N60SC6的详细使用方法及教程。

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APT38N60SC6产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 APT38N60SC6
描述 MOSFET N-CH 600V 38A D3PAK
制造商 Microsemi Corporation
库存 3435
系列 CoolMOS™
包装 散装
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 38A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 99 毫欧 @ 18A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 1.2mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 112 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 2826 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 278W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 D3Pak
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

为智能时代加速到来而付出“真芯”