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TK8A10K3,S5Q

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

封装外壳：TO-220-3 整包

描述：MOSFET N-CH 100V 8A TO220SIS

2061 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Toshiba Semiconductor and Storage设计生产的TK8A10K3,S5Q，现有足量库存。TK8A10K3,S5Q的封装/规格参数为:TO-220-3 整包；同时斯普仑现货为您提供TK8A10K3,S5Q数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有TK8A10K3,S5Q的详细使用方法及教程。

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TK8A10K3,S5Q产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 TK8A10K3,S5Q
描述 MOSFET N-CH 100V 8A TO220SIS
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
库存 2061
系列 U-MOSIV
包装 管件
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 120 毫欧 @ 4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 12.9 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 530 pF @ 10 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 18W（Tc）
工作温度 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220SIS
封装/外壳 TO-220-3 整包

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