RJK1003DPN-E0#T2规格参数_rjk1003dpn-e0#t2现货热销【斯普仑】

RJK1003DPN-E0#T2

制造商：Renesas Electronics America Inc

封装外壳：TO-220-3

描述：MOSFET N-CH 100V 50A TO220AB

6565 现货

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RJK1003DPN-E0#T2产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	RJK1003DPN-E0#T2
描述	MOSFET N-CH 100V 50A TO220AB
制造商	Renesas Electronics America Inc
库存	6565
系列	-
包装	管件
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	50A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	11 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	59 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	4150 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	125W（Tc）
工作温度	150°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	TO-220AB
封装/外壳	TO-220-3

RJK1003DPN-E0#T2

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